紫外线量测定装置专利典范

 
 
 
申请（专利）号：CN200810009691.6申请日：2008.02.20
公开（公告）号：CN101276821公开（公告）日：2008.10.01
主分类号：H01L27/144(2006.01)I范畴分类：
分类号：H01L27/144(2006.01)I；H01L21/84(2006.01)I；G01J1/42(2006.01)I
优先权：2007.3.29 JP 2007-089224
申请（专利权）人：冲电气工业株式会社
地址：日本东京
国省代码：日本；JP
发明（设计）人：三浦规之；千叶正
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：黄纶伟
分案申请号：
颁证日：






摘要：
本发明提供一种可以将UV-A波和UV-B波这两个波长区域的紫外线量分离检测的紫外线感光元件。作为解决手段，该紫外线感光元件具有：形成于绝缘层上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半导体层；形成于该硅半导体层上的横向PN接合形式的第1光电二极管和第2光电二极管；形成于硅半导体层上的层间绝缘膜；形成于第1光电二极管上的层间绝缘膜上，由使UV-B波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第1滤光层；以及形成于第2光电二极管上的层间绝缘膜上，由使UV-A波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第2滤光层。
主权项：
一种紫外线感光元件，其特征在于，该紫外线感光元件具有：形成于绝缘层上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半导体层；形成于该硅半导体层上的横向PN接合形式的第1光电二极管和第2光电二极管；形成于所述硅半导体层上的层间绝缘膜；形成于所述第1光电二极管上的所述层间绝缘膜上，由使UV-B波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第1滤光层；以及形成于所述第2光电二极管上的所述层间绝缘膜上，由使UV-A波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第2滤光层。http://www.dgzhenghang.cn